2.1 IPMSM의 방정식
a상 권선에 고장이 발생한 영역과 고장이 발생하지 않은 영역을 가진 IPMSM의 전압방정식은 식 (2)와 같다
[4]-
[6].
여기서 va, vb, vc는 각 상의 전압, vn은 중성점 전압, ia, ib, ic는 각 상의 전류, if는 고장저항에 흐르는 전류, Rs는 한 상에 대한 고정자 저항, Rf는 고장저항, Laa, Lbb, Lcc는 각 상의 고정자 자기인덕턴스, Mab, Mac, Mbc는 상호인덕턴스, λPM,a, λPM,b, λPM,c는 영구자석에 의해 각 상에 쇄교하는 자속이다.
Inter-turn 고장행렬을 $d a O f$행렬로 변환하기 위해서는 식 (3)에 나타난 Park transform을 사용해야한다.
여기서부터는 수식 표현의 간소화를 위해 식 (3)의 $[ T d a 0 f ]$를 $T$로 대체하겠다.
고장상황에서는 영구자석에 의한 3고조파 요소는 무시할 수 없다. 따라서 영구자석에 의한 자속 중 기본파 요소와 3고조파 요소를 고려하여 전압방정식을
$d o o f$ 성분으로 표현하면 식(4)와 같다.
이를 정리하여 $d-q$축 전압을 표현하면 식 (5)와 같고, n축 전압은 식 (6)과 같다.
여기서 $p = d / d t$는 미분연산자이며, Lls는 누설인덕턴스이다. 정상상태에서 inter-turn 고장전류는 식 (7)과 같다.
2.2 고주파수 전압을 이용한 Inter-turn 고장진단
IPMSM의 오프라인 inter-turn 고장진단을 위해 고주파수 전압은 인가되어야한다. 고주파수 전압은 고장신호를 증폭시키며 본 논문에서는 식 (8)과 같이 각 상에 고주파수 전압을 인가하였다.
여기서 vai, vbi, vci는 각 상의 고주파수 전압이고, Vi는 주입된 고주파수 크기, ωi는 주입된 고주파수 각속도이다.
2.2.1 고장 발생이 없는 상황
고주파수 인가 시 한 상에 대한 고정자 저항과 영구자석에 의해 고정자권선에 쇄교되는 자속은 무시될 수 있다. 이로 인해 전압방정식은 식 (9)와 같다.
IPMSM의 3상 전압을 $α-β$축 정지좌표계 전압으로 표현하면 식 (10)과 같다. 이 때 $d-q$축 인덕턴스와 회전자 위치각은 변하지 않기 때문에 전류 앞에만 미분연산자가 붙는다.
여기서 vαi, vβi는 α-β축 고주파수 전압, iαi, iβi는 $α-β$축 고주파수 전류, Ld, Lq는 $d-q$축 인덕턴스, θr은 회전자 위치각이다.
$α-β$축 전류를 표현하면 식(11)과 같다.
또한 이를 $d-q$축 회전좌표계 전류로 표현하면 식 (12)와 같다.
여기서 idi, iqi는 $d-q$축 고주파수 전류이다.
$α-β$축 전류와 $d-q$축 전류를 비교해 보면 $d-q$축 전류의 주파수가 2배 빠르다는 것을 확인할 수 있다. 또한 idi의 평균값 0임을 확인할 수 있다.
2.2.2 고장 발생 상황
고장상황에서 고주파수 전압이 인가된 전압방정식은 식 (13)과 같다.
$abcf$ 변수 값을 $αβ0f$ 변수 값으로 변환하기 위해서는 Clarke transform을 이용해야한다.
식 (13)과
(14)를 이용하여 $α-β$축 전압방정식을 구하면
식 (15)와 같다.
여기서 eαi′, eβi′는 고장상황에 의해 추가적으로 발생된 $α-β$축 전압 응답이고, ifi는 고장저항에 흐르는 전류이다.
고장상황에서 중성점 전압은 0이 되지 않는다. 따라서 식 (6), 식 (7)에 의해 고장전류는 식 (16)과 같이 얻어진다.
고장상황에서 $α-β$축 전류를 구하면 식 (17)과 같다.
여기서 iαi′, iβi′는 고장상황에서 $α-β$축 고주파수 전류이다.
회전좌표계 $d-q$축 상에서 고장전류는 식 (18)과 같다.
여기서 idi′, iqi′는 고장상황에서 $d-q$축 고주파수 전류이다.
고장상황에서 $α-β$축 전류와 $d-q$축 전류를 비교해 보면 $d-q$축 전류의 주파수가 2배 빠르다는 것을 알 수 있다. 또한 idi′의 평균값은 고장 발생이 없었을 때와 다르게 0이 아닌 것을 확인할 수 있다.