ํ์ํ
(Young-Hun Hong)
1iD
์ฅ์ด๋(่ฃไธๆ)
(Yilang Jiang)
2iD
๊น์ฃผํธ
(Ju Ho Kim)
โ iD
-
(Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.)
-
(Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.)
Copyright ยฉ The Korean Institute of Electrical Engineers(KIEE)
Key words
Inductively coupled plasmas, Plasma characteristics, EM field distribution, COMSOL simulation
1. ์ ๋ก
์ ๋ ๊ฒฐํฉ ํ๋ผ์ฆ๋ง(Inductively Coupled Plasma, ICP)๋ ๋ฎ์ ๊ฐ์ค ์๋ ฅ์์๋ ๋์ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋๋ฅผ ์ป์ ์ ์์ผ๋ฉฐ RF ๋ฐ์ด์ด์ค(bias)
์ ์์ ์ถ๊ฐํ์ฌ ์ด์จ ํฌ๊ฒฉ ์๋์ง(ion bombardment energy)๋ฅผ ๋
๋ฆฝ์ ์ผ๋ก ์ ์ดํ ์ ์๋ค๋ ์ฅ์ (1-3)์ผ๋ก ๋ฐ๋์ฒด ์ ์กฐ ๊ณต์ ์ค, ํนํ ๊ฑด์ ์๊ฐ ๊ณต์ ์์ ๋ง์ด ์ฌ์ฉ๋๊ณ ์๋ค. ์ต๊ทผ ๋ฐ๋์ฒด ์ ์กฐ ๊ณต์ ์ ์์ฅ์์ ์๊ตฌ๋๋ ์ฑ๋ฅ์ด ํฅ์๋์ด๊ฐ์ ๋ฐ๋ผ ์นฉ์
ํฌ๊ธฐ๋ ๋์ฑ ์ํํ๋๊ณ ๊ณ ์ง์ ํ ๋์ด ์ ์ฐจ ๋ณต์กํด์ง๊ณ ๋ค์ํด์ง๋ ๋ฑ, ๋์ฑ ๋์ด๋๊ฐ ์์นํ๊ณ ์๋ค(1,4,5). ์ด๋ฌํ ํ์ฌ์ ์ถ์ธ์์ ๊ณต์ ์ ์์จ์ ๋์ด๊ณ ์๋ชจ๋๋ ์์์ ์ต์ํํ๊ธฐ ์ํด์ ๊ณ ๋ฐ๋ ๋ฐ ๊ณ ํจ์จ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ์์ด ์๊ตฌ๋๊ณ , ๋์ ๋ฐ์ด์ด์ค ์ ์์
์ธ๊ฐ๋ ๊ฑฐ์ ํ์์ ์ด ๋์๋ค(6-14).
์ผ๋ฐ์ ์ผ๋ก ๊ณ ๋ฐ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง๋ฅผ ๋ฌ์ฑํ๊ธฐ ์ํ์ฌ ์๋ถ์ ๊ณ ์ฃผํ์(์ MHz์์ ์์ญ MHz)์ ์ ๋ ฅ์์ด ์ฐ๊ฒฐ๋ ํ๋ฉดํ ์ํ
๋(top planar antenna)์
ํ๋ถ์ ๋์ ์ด์จ ํฌ๊ฒฉ ์๋์ง๋ฅผ ์ป๊ธฐ ์ํ ๋ฎ์ ์ฃผํ์(์๋ฐฑ kHz)์ ์ ๋ ฅ์์ด ์ฐ๊ฒฐ๋ ๋ฐ์ด์ด์ค ๊ทนํ์ด ๊ฐ์ด ์ค์น๋๋ ์ฑ๋ฒ ๊ตฌ์กฐ๋ฅผ ์ฃผ๋ก ์ฌ์ฉํ๊ฒ ๋๋ค(15). ์ํ
๋์ ๊ทนํ์ ์ ๋ ฅ์ธ๊ฐ ๋น์จ์ ๋ฐ๋ผ, ์ ์์๋์ง ๋ถํฌ ํจ์, ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋, ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ํ๋ผ์ฆ๋ง ์ ์ ๋์ญํ์ ๋ณ๊ฒฝ๋ ์ ์๋ค (16). ์ด๋ฌํ ๊ฒฐ๊ณผ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐฉ์ ํน์ฑ์ ๋ฌผ๋ฆฌ์ ํน์ฑ์ ์ดํดํ๋ ๊ฒ๋ฟ๋ง ์๋๋ผ ๋ฐ๋์ฒด ๊ณต์ ์์ ์ต์ ๋ฐฉ์ ์กฐ๊ฑด ๋์ถ์ ๋์์ด ๋ ์ ์๋ค.
์ต๊ทผ, ๊ฒฝ์ ์ ์ด๋ฉฐ ๋์์ ๋น ๋ฅธ ํ๋ผ์ฆ๋ง ์ฒ๋ฆฌ๋ฅผ ์ํด ํฐ ์ฑ๋ฒ ์ง๊ฒฝ(๋๋ฉด์ )์ ๊ฐ์ง๋ฉด์๋ ์์ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ ์๊ตฌ๋๊ณ ์๋ค. ํ์ง๋ง ๋๋ฉด์ ์ฒ๋ฆฌ๋ฅผ ์ํ์ฌ
์ ์๋ ์ฑ๋ฒ๋ ํ์ฐ์ ์ผ๋ก ์ํ
๋ ํฌ๊ธฐ๊ฐ ์ฆ๊ฐ๋๊ณ , ์๋ถํ(์ฟผ์ธ , quartz)๊ณผ ์ํ
๋์ ์ฆ๊ฐ๋ ๋ฌด๊ฒ ๋๋ฌธ์ ๊ธ์๊ณผ ๊ฐ์ ๊ตฌ์กฐ๋ฌผ์ด ์ถ๊ฐ๋ ์ ์์ผ๋ฉฐ,
์ํ
๋์ ๊ธ์ ๊ตฌ์กฐ๋ฌผ๊ฐ์ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ์ด ๋ณ๊ฒฝ๋ ์ ์๋ค. ์ด์ ๊ฐ์ ๋ณํ๋ก ์ธํด ์๋ถ ์ ๋ ๊ฒฐํฉ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ์์์ ์ํผ๋์ค๊ฐ ๋ณ๊ฒฝ๋ ์ ์์ผ๋ฉฐ, ์ ํญ์
์ฆ๊ฐ๋ก ์ธํ ํ๋ผ์ฆ๋ง๋ก์ ์ ๋ ฅ ์ ๋ฌ ํจ์จ์ด ๊ฐ์๋ ์ ์๋ค(17-19). ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ํน์ฑ์ ์ธ๊ฐํด์ค ์ ๋ ฅ์ด ์๋๋ผ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ํก์๋ ์ ๋ ฅ์ ๋ฐ๋ผ ๊ฒฐ์ ๋๋ฏ๋ก, ์ฑ๋ฒ ๋์์ธ ๋ณ๊ฒฝ์ผ๋ก ์ธํ ์ ๋ ฅ ์ ๋ฌ ํจ์จ์ ๋ณํ๋ ๊ณ ํจ์จ
๋ฐ ๊ณ ์์จ์ ์๊ตฌํ๋ ์ฐ์
์์ ๋งค์ฐ ์ค์ํ ๋ฌธ์ ์ด๋ค.
์์ญ ๋
๊ฐ ICP์์ ์ ๋ ฅ ์ ๋ฌ ํจ์จ์ ์ธก์ ํ๋ ๋ค์ํ ๋ฐฉ๋ฒ์ด ์ฐ๊ตฌ๋์ด์๋ค(19-24). ์ผ๋ฐ์ ์ผ๋ก ์ ๋ ฅ ์ ๋ฌ ํจ์จ์ ์ธก์ ์ ์ ์ฒด ๋ฐฉ์ ์์คํ
์์ ํ๋ฅด๋ ์ ๋ฅ์ ์ํ
๋์ ์ ์ ๋ฑ์ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ์ ๊ธฐ๋ฐ์ผ๋ก ๊ณ์ฐ๋๋ค. Hopwood ๋ฑ์
ICP์์ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ์ ๋ฌ๋๋ ์ ๋ ฅ์ ๊ณ์ฐํ๋ ๋ฐฉ๋ฒ์ ์ ์ํ๋ค(21). Godyak ๋ฑ์ ๋ฐฉ์ ์์คํ
์์ ์์ค๋๋, ์ฆ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ์ ๋ฌ๋๋ ์ ๋ ฅ์ ์ ์ธํ ์์ค ์ ๋ ฅ์ ๊ฒฐ์ ํ๋ ์คํ์ ์ธ ๋ฐฉ๋ฒ์ ์ฐ๊ตฌํ์๋ค(22,23). ๋ํ ์ต๊ทผ์ Hwang ๋ฑ์ ๋ฐฉ์ ์์คํ
์ ์ ํญ์ ๊ตฌํ์ฌ ์ธ๊ฐ๋๋ ์ ๋ ฅ์์ ์์คํ
์์ ์๋ชจ๋๋ ์ ๋ ฅ์ ์ ๊ฑฐํ์ฌ ์ ๋ ฅ ์ ๋ฌ ํจ์จ์ ์ธก์ ํ๋ ๋ฐฉ๋ฒ์
์ ์ํ์๋ค(19). ์ด๋ฌํ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ์ ๊ธฐ๋ฐ์ผ๋ก ์ธก์ ํ๋ ๋ฐฉ์์ ์ํ
๋์ ํ๋ฅด๋ ์ ๋ฅ์ ์ํด ๋ฐ์ํ๋ ์ ๊ธฐ์ฅ๊ณผ ์๊ธฐ์ฅ์ ์ํ ํจ๊ณผ๋ฅผ ๊ณ ๋ คํด์ผ ํ๋ค. ํนํ ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ
๋ฐ์๋๋ ๊ณต๊ฐ ์ฌ์ด์ฆ, ์ฆ ์ฑ๋ฒ ๋ด๊ฒฝ(inner radius)๊ณผ ๊ธธ์ด์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ์ ๊ธฐ ๋ฐ ์๊ธฐ ๊ฒฐํฉ(electrostatic and magnetic
coupling)์ ์์คํ
์ ํญ๊ณผ ์ ๋ ฅ ์ ๋ฌ ํจ์จ์ ์ธก์ ํ๊ธฐ ์ํด์ ๋งค์ฐ ์ค์ํ๋ฉฐ, ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ๋ฐ์๋ ๋ ๋ณ๊ฒฝ๋ ์ ์๋ ๊ทนํ์ ๋ํ ์ ๋ ฅ ์์ค ๋ํ
ํ์์ ์ผ๋ก ๊ณ ๋ ค๋์ด์ผ ํ๋ค.
๋ณธ ๋
ผ๋ฌธ์์๋ ์ด๋ฌํ ์ ์ ์ฃผ๋ชฉํ์ฌ RF ๋ฐ์ด์ด์ค์ฉ ๊ทนํ์ด ์๋ ์๋ถ ์ ๋ ๊ฒฐํฉ ํ๋ผ์ฆ๋ง์์ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด์ ๋ณํ์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ๊ณผ ์ ๊ธฐ์ฅ ๋ฐ ์๊ธฐ์ฅ์
๋ถํฌ๋ฅผ ์กฐ์ฌํ์๋ค. ์ฑ๋ฒ์ ๊ธธ์ด๊ฐ ๋ณ๊ฒฝ๋จ์ ๋ฐ๋ผ ์์คํ
์ ํญ์ด ๊ณ ์ ๋์ง ์๊ณ ๋ณํํจ์ ์คํ์ ์ผ๋ก ์ธก์ ํ์๊ณ , ์ด ๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
๊ฒฐ๊ณผ์ ๋น๊ตํ์ฌ
์๋ถ ICP ๋ฐฉ์ ์ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ์ ๋ํ์ฌ ์ค๋ช
ํ์๋ค. ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ๋ฐฉ์ ๋์ง ์์ ์กฐ๊ฑด์์ ์์คํ
์ ์ ํญ์ ์ธก์ ํ๋ ๋ฐฉ์์์ ์ค์ ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ๋ฐฉ์ ๋์์
๊ฒฝ์ฐ ๋ฐ์ํ๋ ์ํ
๋์ ๊ทนํ์ฌ์ด์ ์ ์ ๊ธฐ ๊ฒฐํฉ์ ์ํ ์์ค(์ ์ ๊ธฐ์ฅ ์์ค, electrostatic field loss)๊ณผ ์๊ธฐ ๊ฒฐํฉ ์์ค(์์ ๋ฅ
์์ค, eddy current loss)๊ณผ ํจ๊ป ๋
ผ์๋๋ค.
2. ์คํ ๊ตฌ์ฑ
๊ทธ๋ฆผ 1์ ์คํ๊ณผ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์์ ์ฌ์ฉ๋ ICP ์ฅ์น์ด๋ค. ์ฑ๋ฒ๋ ์ํตํ์ด๋ฉฐ, ๋ด๋ถ ๋ฐ์ง๋ฆ(r)์ 13 cm์ด๊ณ , ๊ธธ์ด(l)๋ ์ด๋ ๊ฐ๋ฅํ ํ๋ถ ๊ทนํ์ ์กฐ์ ํ๋ฉด
4 cm์์ 11cm๊น์ง ๋ณ๊ฒฝ๊ฐ๋ฅํ๋ค. ์ฑ๋ฒ์ ์๋ฒฝ์ stainless steel์ด๋ฉฐ, ์ฑ๋ฒ ์๋ถ์ ์ํ
๋ ์ฌ์ด์๋ ์ธ๋ผ๋ฏน ํ์ด ์ค์น๋์ด์๋ค. ์ํ
๋๋
์๋์ ๋๊ด(water-cooled copper tube)์ผ๋ก ์ ์๋์์ผ๋ฉฐ, ์๋ถ ๊ฐ์ด๋ฐ์์ RF ์ ๋ ฅ(PRF)์ด ์ธ๊ฐ๋๊ณ ๋ณ๋ ฌ๋ก 2ํด(2-turn)
์ํ
๋ ํํ์ด๋ฉฐ ๋ ์๋์ด ์ ์ง์ ์ฐ๊ฒฐ๋๋ค. ์ฑ๋ฒ์ ํ๋ถ์๋ ์ ๋ ฅ์ ์ธ๊ฐํ ์ ์๋ ๊ทนํ์ด ๋์ฌ์๊ณ ๊ทธ ๊ทนํ์ ๊ฒ๋ฉด์ ์คํผํฐ๋ง(sputtering)์
์ต์ ํ๊ธฐ ์ํ ์ธ๋ผ๋ฏน ํ์ด ๋ฎ๊ฐํ์์ผ๋ก ์์์ ธ ์๋ค. ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ ๊ทนํ๊ณผ ์ฑ๋ฒ ์๋ฒฝ ์ฌ์ด์๋ ๊ณ ์ง๊ณต์ ๋ง๋ค๊ธฐ์ํ ๊ณต๊ฐ์ด ์์ผ๋ฉฐ, ๊ทธ ๊ณต๊ฐ์ ๊ธ์ ๋ฉ์(stainless
steel mesh)๊ฐ ์ค์น๋๋ค. ์คํ๊ณผ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์์ ๊ตฌ๋ ์ฃผํ์(f)๋ 13.56 MHz์ด๊ณ ์๋ฅด๊ณค ๊ฐ์ค๊ฐ ์ฌ์ฉ๋๋ค.
๊ทธ๋ฆผ. 1. ICP ์ฑ๋ฒ ๊ฐ๋ต๋
Fig. 1. A schematic diagram of ICP chamber
2.1 ์คํ ๊ตฌ์ฑ
13.56 MHz์ ์ ๋ ฅ์์ด ์ํผ๋์ค ๋งค์นญ ๋คํธ์ํฌ (matching network)์ ์ฐ๊ฒฐ๋๊ณ ๊ทธ๋ฆผ 1์์ ๋ณด์ด๋ Power input์ผ๋ก ์ฐ๊ฒฐ๋๋ค. ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ ์ต์ 4 cm๊น์ง ์ค์ผ ์ ์์ผ๋, ๋ทฐํฌํธ(view port)์ ๋๋ฎค์ด ํ๋ก๋ธ(Langmuir
probe)์ ๊ฐ์ ํ์นจ์ ์ค์นํ๊ฒ ๋๋ฉด, ๊ทธ ์์น๊ฐ ์ฑ๋ฒ ์๋ถ๋ก๋ถํฐ 5-6 cm ๋ถ๊ทผ์ด ๋๋ฉฐ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ ์กฐ์ ๋๋ ๋ฒ์๋ 11cm์์ 6.5 cm๊น์ง๊ฐ
๋๋ค.
๋งค์นญ ๋คํธ์ํฌ ๋ฐ ์ํ
๋๋ฅผ ํฌํจํ๋ ์์คํ
์ ํญ(Rsys)๋ฅผ ์ธก์ ํ๊ธฐ ์ํด์, ๋งค์นญ ๋คํธ์ํฌ์ ์ํ
๋ ์ฌ์ด์ ์ ๋ฅ ํ๋ก๋ธ(model 110 of Pearson
Electronics, Inc.)๊ฐ ์ค์น๋๋ค. ์ด ์ ๋ฅ ํ๋ก๋ธ๋ 1 MHz์์ 20 MHz๊น์ง์ ๋์ ๋ฒ์๋ฅผ ๊ฐ๊ณ ์์ผ๋ฉฐ, ์ค์ค๋ก์ค์ฝํ๊ฐ 50์ด์ผ๋ก
์ค์ ๋ ๋, 0.05 VA-1์ ๊ฐ๋๋ฅผ ๊ฐ์ง๊ณ ์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 1์ ๋ฐฉ์ ์์คํ
์์ ์ง๋ ฌํ๋ก ํ๋ฅด๋ ์ ๋ฅ๋ ๋์ผํ๋ค๊ณ ๊ฐ์ ํ๋ฉฐ, ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ ๋์ Rsys์ PRF์ ๊ด๊ณ์์ ๋ค์๊ณผ ๊ฐ๋ค(19).
์ฌ๊ธฐ์ IRF๋ ์ํ
๋์ ํ๋ฅด๋ ์ ๋ฅ์ด๋ค.
3. ์ ์๊ธฐ์ฅ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์ ๊ธฐ์ฅ๊ณผ ์๊ธฐ์ฅ์ ๋ถํฌ๋ฅผ ํ์ธํ๊ธฐ ์ํด, Computer Simulation Technology (CST) Studio Suite 2021 (25)์ ์ฌ์ฉํ์๊ณ , ์คํ๊ณผ ํฌ๊ธฐ ๋ฐ ์ฌ์ง์ด ๊ฐ๊ฒ ๊ตฌ์ฑํ์ฌ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์ ์งํํ์๋ค. ํนํ, ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ํฌํจ๋ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์ ์ํด์, ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ์ฌ๋ฃ ํน์ฑ(material
properties of plasma)์ Drude dispersion ๋ชจ๋ธ๋ก ์ค์ ํ์๋ค. Drude dispersion ๋ชจ๋ธ์ ํ๋ผ์ฆ๋ง์์ ์๋์ ์ผ๋ก
์์ง์ด์ง ์๋ ์ค์ฑ์ข
๋๋ ์ด์จ๊ณผ ์ ์์ ์ฐ๋ ์ธก๋ฉด(the scattering of the charge carriers)์์ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ํน์ฑ์ ์ค๋ช
ํ๋
๋ชจ๋ธ์ด๋ค. Drude dispersion ๋ชจ๋ธ์์ ์ ์ ์์ (the dielectric constant of the Drude dispersion
model, ฮต)์ ๋ค์๊ณผ ๊ฐ์ด ํํ๋๋ค.
์ฌ๊ธฐ์ ฮต0์ ์ง๊ณต ์ ์ ์จ, ฮตโ์ ๋ฌดํ ์ฃผํ์์์ ์๋ ์ ์ ์์(the relative dielectric constant at infinite
frequency)์ด๊ณ (์ฌ๊ธฐ์, ฮตโ = 1), ฯ๋ ๊ตฌ๋ ๊ฐ(angular) ์ฃผํ์์ด๊ณ (ฯ = 2ฯf), ฮฝm์ ์ ์-์ค์ฑ์ข
์ถฉ๋ ์ฃผํ์์ด๊ณ
ฯP๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๊ฐ ์ฃผํ์์ด๋ค.
ฯP์ ๋ค์๊ณผ ๊ฐ์ด ์ฃผ์ด์ง๋ค.
์ฌ๊ธฐ์ fP๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ์ฃผํ์, e๋ ์ ํ๋, nP๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋, m์ ์ ์์ง๋์ด๋ค.
4. ๊ฒฐ๊ณผ ๋ฐ ๋
ผ์
๊ทธ๋ฆผ 2๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด์ ๋ฐ๋ฅธ ์์คํ
์ ํญ์ ์ธก์ ๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ ๋ณด์ฌ์ค๋ค. ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ 11 cm, 9.5 cm, 8 cm, 6.5 cm๋ก ์ค์ด๋ฆ์ ๋ฐ๋ผ ์์คํ
์ ํญ์
0.138 ฮฉ, 0.141 ฮฉ, 0.143 ฮฉ, 0.145 ฮฉ์ผ๋ก ์ฆ๊ฐํจ์ ๋ณด์๋ค. ์ด ์คํ๊ฒฐ๊ณผ๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ ๋ณ๊ฒฝ๋จ์ ๋ฐ๋ผ ์ธก์ ๋๋ ์์คํ
์ ํญ์ด
๋ฌ๋ผ์ง ์ ์๋ค๋ ๋งค์ฐ ํฅ๋ฏธ๋ก์ด ๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ ๋ํ๋ธ๋ค. ์ ํํ ์์คํ
์ ํญ์ ์ธก์ ์ด ์ค์ํ ์ด์ ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ํก์๋๋ ์ ๋ ฅ(Pabs)์
์ผ๋ก Rsys์ ๋ณํ์ ๋ฐ๋ผ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ํก์๋๋ ์ ๋ ฅ์ด ์ฐจ์ด๊ฐ ์๊ธธ ์ ์๊ธฐ ๋๋ฌธ์ด๋ค. ๋ฐ๋ผ์ ์ ํํ ์์คํ
์ ํญ์ ์ธก์ ๋ฐ ์ค์ ์ ๋งค์ฐ ์ค์ํ๋ค.
์ค์ ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ๋ฐฉ์ ๋ ์ํ์์ ์์คํ
์ ํญ์ ๊ทธ๋ฆผ 2์์ ์ธก์ ๋ ์์คํ
์ ํญ๊ณผ ๋ฌ๋ผ์ง ์ ์๋ค. ์๋ํ๋ฉด ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ ๋ ์ (1)๋ก๋ถํฐ ์ป์ด์ง ์์คํ
์์ค ์ ๋ ฅ์ ํ๋ถ ๊ทนํ์์ ์ ์ ๊ธฐ ๋ฐ ์๊ธฐ ๊ฒฐํฉ์ผ๋ก ์ธํ ์์ค์ด ํฌํจ๋์ด ์๊ธฐ ๋๋ฌธ์ด๋ค. ์ผ๋ฐ์ ์ผ๋ก ๊ธ์ํ์ ๊ฐ๊น์ธ์๋ก ์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ผ๋ก
์ธํ ์ ๋ ฅ ์์ค(์ ์ ๊ธฐ์ฅ ์์ค, electrostatic field loss)๊ณผ ์๋ณ ์๊ธฐ์ฅ์ ์ํ ์ ๋์ฑ ํ๋ฉด์ ์ ๋๋๋ ์์ ๋ฅ ์์ค(eddy current
loss)์ ๋ชจ๋ ๋ ์ปค์ง๋ค. ๋ํ, ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ฑ๋ ๋, ์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ ์ฐจํ์กฐ๊ฑด๊ณผ ํจ๋ฌ๋ฐ์ด ์ ์๊ธฐ ์ ๋ ๋ฒ์น(Faradayโs law of induction)์
์ํ ์ ๋ํ๋์ ์นจํฌ(๋๋ ํํผ) ๊ธธ์ด(skin depth)๊ฐ ๊ณ ๋ ค๋์ด์ผ ํ๋ค. ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ฑ๋์์ ๋ ๊ทนํ์ ์๊ธฐ๋ ์ ์ ๊ธฐ์ฅ ์์ค๊ณผ ์๋ฅ ์์ค์
์ค์ ๋ก ์ธก์ ํ๊ธฐ๋ ๋งค์ฐ ํ๋ค๋ค. ๋ฐ๋ผ์ ์ฐ๋ฆฌ๋ ๊ทธ๋ฆผ 3๊ณผ 4์์ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์ ํตํ ์ ์๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ๋ฅผ ๋ํ๋ด์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ. 2. ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด(l)์ ๋ฐ๋ฅธ ์์คํ
์ ํญ(Rsys) ์ธก์ (a) 6.5 cm, (b) 8 cm, (c) 9.5 cm, (d) 11 cm
Fig. 2. System resistance (Rsys) measurement at the chamber length (l) of (a) 6.5
cm, (b) 8 cm, (c) 9.5 cm, and (d) 11 cm
4.1 ์ ๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ (Electric field distribution)
ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ ๋์ ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ ๋์ ์ ์ ๊ธฐ์ฅ ์์ค๊ณผ ์์ ๋ฅ ์์ค์ ์ผ๊ธฐํ๋ ์ ๊ธฐ์ฅ๊ณผ ์๊ธฐ์ฅ์ ๋ถํฌ๋ฅผ ๋ถ์ํ๊ธฐ ์ํ์ฌ, ๋ค์๊ณผ ๊ฐ์ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์
์งํํ์๋ค. ์ฒซ ๋ฒ์งธ๋ ์ง๊ณต(vacuum)์ผ๋ก ์ฑ๋ฒ ๋ด๋ถ๋ฅผ ๊ตฌ์ฑํ์์ ๋, ๋ ๋ฒ์งธ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ ๋(2.2์ ์ฐธ๊ณ )์ด๋ค. ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ ๋๋
๋ฐ๋๊ฐ 1ร109 $cm^{-3}$, 1ร1010 $cm^{-3}$, ๊ทธ๋ฆฌ๊ณ 1ร109 $cm^{-3}$์ธ 3๊ฐ์ง ๊ฒฝ์ฐ๋ฅผ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
ํ์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 3(a)๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ ๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ๋ฅผ ๋ณด์ฌ์ค๋ค. l์ด 4 cm ์ผ ๋ ๊ทนํ์์์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ด ๊ฐ์ฅ ๊ฐํ๊ณ l์ด ๊ธธ์ด์ง์๋ก ๊ทนํ์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ด
์ฝํด์ง๋ ๊ฒ์ ํ์ธ ํ ์ ์๋ค. ์ด๋ ๊ทธ๋ฆผ 2์์ ์ฑ๋ฒ์ ๊ธธ์ด๊ฐ ๊ธธ์ด์ง์๋ก ์ธก์ ๋ ์์คํ
์ ํญ์ด ๊ฐ์ํ๋ ๊ฒ๊ณผ ์ ์ผ์นํ๋ ๊ฒฐ๊ณผ์ด๋ค.
ํ์ง๋ง, ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ฑ๋์์ ๋(๊ทธ๋ฆผ 3(b) ์ฐธ๊ณ )๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ์ํด ์ ๊ธฐ์ฅ์ด ์ฐจํ๋์ด ๊ทนํ์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ ๊ฑฐ์ ์๋ ๊ฒ์ ์ ์ ์๋ค. ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ์์ฑ๋๋ฉด ํ๋ผ์ฆ๋ง ์ฃผํ์๋ณด๋ค ๋์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ ์ญ๋์
์ ์์ ์์ง์์ผ๋ก ์ฐจํํ ์ ์์ง๋ง, ํ๋ผ์ฆ๋ง ์ฃผํ์๋ณด๋ค ๋ฎ์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ ์ญ๋์ ํ๋ผ์ฆ๋ง๋ฅผ ํต๊ณผํ์ง ๋ชปํ๊ณ ์ฌ์ค ์ ๋์ ๊ธธ์ด์์ ์ฐจํ๋๋ค.
์ (3)์ ์ฐธ๊ณ ํ๋ฉด, ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋๊ฐ 1ร1010 $cm^{-3}$์ผ ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ์ฃผํ์๋ ์ฝ 900 MHz๊ฐ ๋๊ณ , ์ด๋ ๊ตฌ๋ ์ฃผํ์์ธ 13.56 MHz์
๋นํด ์ฝ 66๋ฐฐ ํฌ๋ค. ์ผ๋ฐ์ ์ผ๋ก ICP๋ฅผ ์ฌ์ฉํ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๊ณต์ ๋ฐ ์ฐ๊ตฌ์ค ์์ค์์ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋ ๋ฒ์๋ 1ร108 $cm^{-3}$์์ 1ร1012
$cm^{-3}$์ด๋ค. nP๊ฐ ์ต์ 1ร108 $cm^{-3}$๋ง ๋์ด๋ fP๋ ์ฝ 90 MHz๊ฐ ๋๊ณ 13.56 MHz์ ๋นํด ์ฝ 7๋ฐฐ ํฌ๋ค. ๋ฐ๋ผ์
ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฒํฌ(bulk)๋ฅผ ํต๊ณผํด์ ๊ทนํ์ ์ ์ ๊ธฐ์ฅ ์์ค์ ์๋ค๊ณ ๋ณผ ์ ์๋ค. ์ถ๊ฐ๋ก, ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ์ ์์ ์ํด์ ์ค์ค์ฑ(quasi-neutral)์ด
์ ์ง๋์ด์ผํ๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ์ฌ์ค ๊ธธ์ด ์ ๋ ์์ค์ผ๋ก ์ฑ๋ฒ๋ฅผ ์๊ฒ ๋ง๋ค ์ ์๋ค(1). ๊ทธ๋ฌ๋ฏ๋ก ์๋ถ ICP ์ํ
๋ ํํ์์ ์์คํ
์ ํญ์ ์ธก์ ํ ๋์๋ ์ ์ ๊ธฐ์์ค์ด ์ต์๊ฐ ๋๋๋ก ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ฅผ ๊ธธ๊ฒ ํ์ฌ์ผ ํ๋ค.
๊ทธ๋ฆผ. 3. (a) ํ๋ผ์ฆ๋ง ์์ ๋์ (b) ํ๋ผ์ฆ๋ง ์์ ๋, ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด(l)์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ.
Fig. 3. Electric field distribution (a) without plasma and (b) with plasma.
๊ทธ๋ฆผ. 4. (a) l = 4 cm์ (b) l = 6 cm์ผ ๋, ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋์ ๋ฐ๋ฅธ ์๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ.
Fig. 4. H-field distribution with various plasma densities at (a) l = 4 cm and (b)
l = 6 cm.
4.2 ์๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ (Magnetic field distribution)
๊ทธ๋ฆผ 4๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ 4 cm์ 6 cm์ผ ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋์ ๋ฐ๋ฅธ ์๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ๋ฅผ ๋ณด์ฌ์ค๋ค. ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋๊ฐ 0์ผ ๋๋ฅผ vacuum์ผ๋ก ์ฌ๊ธธ ์ ์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 4(a)์์์ ๊ทนํ์ ์๊ธฐ์ฅ ์ธ๊ธฐ(intensity)๋ ๊ทธ๋ฆผ 4(b)์์์ ๊ทนํ์ ์๊ธฐ์ฅ ๊ฐ๋๋ณด๋ค ๊ฐํ ๊ฒ์ ์ ์ ์๋ค. ์ด๋ ๊ทธ๋ฆผ 4(a)์ ๊ทนํ๊ณผ ์ํ
๋์์ ๊ฑฐ๋ฆฌ๊ฐ ๊ฐ๊น๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ๋ํ๋๋ ํ์์ด๋ค. ์ฌ๊ธฐ์ ์ฃผ๋ชฉํ ์ ์ ๋ค๋ฅธ ์กฐ๊ฑด๊ณผ ๋ค๋ฅด๊ฒ np=1ร1011 $cm^{-3}$์์ ์๊ธฐ์ฅ์
์ธ๊ธฐ๊ฐ ํ์ฐํ ์ฝํ๋ค๋ ๊ฒ์ด๋ค. ์ด๋ ํํผ ๊ธธ์ด์ ๋ณํ๋ก ์ค๋ช
ํ ์ ์๋ค. ํ๋ผ์ฆ๋ง ํํผ ๊ธธ์ด(ฮดP)๋
๋ก ์ฃผ์ด์ง๋ค(18). ์ฌ๊ธฐ์ c๋ ๋น์ ์๋์ด๊ณ , ฮฝeff๋ ์ ํจ ์ถฉ๋ ์ฃผํ์์ด๋ฉฐ ฮฝm๊ณผ ๋น์ถฉ๋ ์ฃผํ์(stochastic collision frequency, ฮฝstoc)์
ํฉ,
์ผ๋ก ๋ํ๋ผ ์ ์๋ค.
๊ทธ๋ฆผ. 5. (a) l = 8 cm์ (b) l = 11 cm์ผ ๋, ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋์ ๋ฐ๋ฅธ ์๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ.
Fig. 5. H-field distribution with various plasma densities at (a) l = 8 cm and (b)
l = 11 cm.
์ (5)๋ฅผ ์ฌ์ฉํ์ฌ ๊ฐ ๋ฐ๋๋ณ๋ก ํํผ ๊ธธ์ด๋ฅผ ๊ณ์ฐํ๋ฉด, np=1ร109 $cm^{-3}$์ผ ๋ ฮดP๋ ์ฝ 21 cm, np=1ร1010 $cm^{-3}$์ผ
๋ ฮดP๋ ์ฝ 6.8 cm, np=1ร1011 $cm^{-3}$์ผ ๋ ฮดP๋ ์ฝ 2.3 cm๊ฐ ๋๋ค. ๋ฐ๋ผ์ ํํผ ๊ธธ์ด๊ฐ ์ฑ๋ฒ์ ๊ธธ์ด๋ณด๋ค ์งง์ ๊ฒฝ์ฐ
์ฆ, np=1ร1011 $cm^{-3}$์ผ ๋๋ ๊ทนํ์ ์๋ฅ ์์ค์ด ๊ฑฐ์ ์์ ๊ฒ์ผ๋ก ์์ํ ์ ์๋ค. ํ์ง๋ง ๊ทธ๋ฆผ 4(a)์ np=1ร1011 $cm^{-3}$์ผ ๋, ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ 4 cm๋ก 2.3 cm๋ณด๋ค ๊ธธ์ง๋ง ๊ทนํ์ ์๊ธฐ์ฅ์ ์ํฅ์ด ์กฐ๊ธ์ ์๋ ๊ฑธ๋ก ์ฌ๊ฒจ์ง๋ค. ์ด๋
ํํผ ๊ธธ์ด๋ฅผ ๊ณ์ฐ ์, ํ๋๊ฐ ๋ณธ๋ ์ธ๊ธฐ์ ์ฝ 36%๋ก ๊ฐ์ํ์ ๋๋ฅผ ๊ธฐ์ค์ผ๋กํ๊ธฐ ๋๋ฌธ์, ๊ทนํ์ ๋งค์ฐ ์์ง๋ง ์๊ธฐ์ฅ์ ์ํฅ์ด ์๋ ๊ฒ์ฒ๋ผ ๋ณด์ธ๋ค.
ํ์ง๋ง l=6 cm์ผ ๋๋ ์๊ธฐ์ฅ์ด ๊ฑฐ์ 0์ธ ๊ฒ์ ํ์ธํ ์ ์๋ค. ์ฌ๊ธฐ์ ๋ฐ์ดํฐ๋ฅผ ์ถ๊ฐํ์ง ์์์ง๋ง, ์๋ฎฌ๋ ์ด์
๊ฒฐ๊ณผ๋ก np=1ร1011 $cm^{-3}$์ผ
๋ ์๊ธฐ์ฅ์ด ๊ฑฐ์ 0์ด ๋๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ ํํผ๊ธธ์ด์ ์ฝ 2๋ฐฐ์ธ 5 cm ๊ทผ์ฒ์ด๊ณ , TEํ(TE wave)์ ํ๋ผ์ฆ๋ง๋ด์ ๊ฐ์ ๋ฅผ ๊ณ ๋ คํ์ฌ ๊ณ์ฐ์ ํ๋ฉด(26) ์ด๋์ ํ๋ ์ธ๊ธฐ๋ ๋ณธ๋ ์ธ๊ธฐ์ ์ฝ 1/10(์ฆ, ์ฝ โ10 dB)์ผ๋ก ๊ฐ์ํ๊ฒ ๋๋ค.
๊ทธ๋ฆผ 5๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ 8 cm์ 11 cm์ผ ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋ ์ง๊ณต ๋ฐ 3 ๊ฐ์ง ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋์ ๋ฐ๋ฅธ ์๊ธฐ์ฅ ๋ถํฌ๋ฅผ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
ํ ๊ฒฐ๊ณผ์ด๋ค. np=1ร1011
$cm^{-3}$์ผ ๋๋ l์ด ฮดP์ ๋นํด ํฌ๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ๊ทธ๋ฆผ 4์์ ์ค๋ช
ํ ๊ฒ๊ณผ ๊ฐ์ ๊ฒฝํฅ์ ๋ณด์ด๊ณ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ ๋ ์ฆ๊ฐ๋์ด๋ ๊ทนํ์ ์๊ธฐ์ฅ ์ธ๊ธฐ์ ์ํฅ์ ์๋ค. ํ์ง๋ง ๊ทธ๋ฆผ 5์์ np=1ร109 $cm^{-3}$์ผ ๋ ฮดP๋ 21 cm๋ก ์ฑ๋ฒ์ ๊ธธ์ด๋ณด๋ค ๋งค์ฐ ๊ธด๋ฐ๋ ๋ถ๊ตฌํ๊ณ ๊ทนํ์ ์๊ธฐ์ฅ ์ธ๊ธฐ๊ฐ ๊ฑฐ์ 0์ ๊ฐ๊น์ด ๊ฒ์
๋ณผ ์ ์๋ค. ์ด๋ ์ฑ๋ฒ์ ๊ตฌ์กฐ์ ์ธ ํน์ฑ์ ๋ฐ๋ฅธ ํํผ ๊ธธ์ด์ ๋ณํ๋ก ํด์ํ ์ ์๋ค.
์คํ ๊ตฌ์ฑ์์ ์ค๋ช
ํ๋ฏ์ด, ์ฑ๋ฒ์ ์๋ฒฝ์ ์คํ
์ธ๋ ์ค ์คํธ๋ก ๋์ด์๋ค. ์ค์ ๋ก ๋ง์ ์ฑ๋ฒ์์ ๋ฌด๊ฑฐ์ด ๋ฌด๊ฒ๋ฅผ ์งํฑํ๊ธฐ ์ํด ๊ธ์ ๊ตฌ์กฐ๋ฌผ์ ์ฌ์ฉํ๊ฒ ๋๊ณ ,
์ด๋ ํํผ ๊ธธ์ด์ ๊ฐ์๋ฅผ ์ผ๊ธฐํ ์ ์๋ค. ์ด๋ฌํ ์ฑ๋ฒ์ ๋ฐ๊ฒฝ r์ ๋ฐ๋ฅธ ํํผ ๊ธธ์ด ฮด๋
์ผ๋ก ๊ฐ๋ตํ ํ ์ ์๋ค(26). ๋ณธ ์คํ ์กฐ๊ฑด์์ r์ 13 cm์ด๋ฉฐ, ฮด์ ์ฝ 3.4 cm๋ก ๊ณ์ฐ๋๋ค. ์ (5)์ ์ (7)์ ๊ณ์ฐ์ ํตํด์, ฮดP์ ฮด ์ค์ ๋ ์งง์ ํํผ ๊ธธ์ด๋ฅผ ์ฌ์ฉํ ์ ์๊ณ , ฮดP << ฮด ์ธ ๊ฒฝ์ฐ์ ์ฑ๋ฒ ์์ฒด์ ๊ตฌ์กฐ์์ ์์ค๋๋ ์ ๋ ฅ์ด ๋งค์ฐ ํด
์ ์์์ ์๋ฏธํฉ๋๋ค. ๋ํ, ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ฅผ ํํผ ๊ธธ์ด์ 3๋ฐฐ๋ก ๋ ๋๋ฆฌ๋ฉด ์๋ ํ๋๊ฐ -20 dB๋ก ๊ฐ์ (99% ๊ฐ์)๋ฉ๋๋ค. ๊ทธ๋ฌ๋ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
๊ฒฐ๊ณผ์์
ฮด ์ 2.1๋ฐฐ์ผ ๋๋ ์๊ธฐ์ฅ ์ธ๊ธฐ๊ฐ ๋ฌด์ํ ๋งํ ์์ค์ด ๋จ์ ๋ณด์ฌ์ค๋๋ค.
4.3 ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ถํฌ (Plasma distribution)
์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด ๋ณํ์ ๋ฐ๋ฅธ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ๋ถํฌ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์ ํ๊ธฐ ์ํด COMSOL Multiphysics์ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ชจ๋์ด ์ฌ์ฉ๋์๋ค (27). ๊ทธ๋ฆผ 6์ ๊ณ ์ ๋ 13.56 MHz ์ ๋ ฅ์์ l์ด 11 cm์์ 4 cm๋ก ๊ฐ์ํจ์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ์ ๋ฐ๋(ne) ๋ฐ ์ ์ ์จ๋(Te) ๋ถํฌ์ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
๊ฒฐ๊ณผ๋ฅผ
๋ณด์ฌ์ค๋๋ค. ์ ์ ์จ๋ ๋ถํฌ๋ l์ ๋ณํ์๋ ๋ถ๊ตฌํ๊ณ ํฌ๊ฒ ๋ณํ์ง ์๋๋ค (28). ํํธ, ์ ์ ๋ฐ๋์ ๋ถํฌ๋ l = 11 cm์ผ ๋ ์ผํฐ๊ฐ ๋์ ๋ถํฌ์ด๊ณ , l = 8 cm์ผ ๋ ๋ฐ๊ฒฝ๋ฐฉํฅ์ผ๋ก ๊ธธ๊ฒ ํ์ฑ๋์ด ์๋์ ์ผ๋ก ๊ท ์ผํ๊ฒ ๋๋ค.
๊ทธ๋ฌ๋ l = 6 cm์์ ์ ์ ๋ฐ๋์ ์ต๋์ง์ ์ ์ฝ 8 cm์ด๋ฉฐ ๋ถ๊ท ์ผํด์ง๋ค. l = 4 cm์ผ ๋ ์ ์ ๋ฐ๋์ ์ต๋ ์ง์ ์ ๋ ์ํ
๋ ์ฝ์ผ ์ฌ์ด์
์์น์ธ 10 cm ๋ถ๊ทผ์ผ๋ก ์ด๋ํ๋ค. ์ด๋ฌํ ๊ฒฐ๊ณผ๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด์ ๋ํ ์ ์ ๋์ญํ์ ์ํฅ๊ณผ ํจ๊ป ๋
ผ์๋์ด์ผ ํ๋ค. ์ ์ ์๋์ง ์๋ชจ ๊ธธ์ด (ฮปฮต)๋
๋ค์๊ณผ ๊ฐ์ด ์ฃผ์ด์ง๊ณ (1),
๊ทธ๋ฆผ. 6. l = 4 โ 11 cm ์ผ ๋, (a) ์ ์ ๋ฐ๋ ๋ถํฌ์ (b) ์ ์์จ๋ ๋ถํฌ.
Fig. 6. Simulation results of ne and Te distribution with changing chamber length
at a fixed RF power.
์ฌ๊ธฐ์ M์ ์ด์จ ์ง๋, ฮปen์ ์ ์-์ค์ฑ์ข
ํ๊ท ์์ ํ๋ก, ฮฝee๋ ์ ์-์ ์ ์ถฉ๋ ์ฃผํ์์ด๋ค. ๋ง์ฝ ฮปฮต๊ฐ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ณด๋ค ๋งค์ฐ ์งง์ผ๋ฉด ์ํ
๋
๊ทผ์ฒ์์ ๊ฐ์ด๋ ์ ์๋ค์ ๊ทธ ๊ทผ์ฒ์์ ์๋์ง๋ฅผ ๋๋ถ๋ถ ์๋ชจํ๊ฒ ๋๊ณ , ์ด๋ ์ ์๋ค์ ๊ตญ๋ถ์ ๋์ญํ์ ๋ฐ๋ฅธ๋ค. ํ์ง๋ง ฮปฮต๊ฐ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ณด๋ค ๊ธธ๋ฉด ์ ์์ฅ์
์ํด ๊ฐ์ด๋ ์ ์๋ค์ ์๋์ง๋ฅผ ์ ๋ถ ์๋ชจํ๊ธฐ ์ ์ ์ฑ๋ฒ ์ ์ญ์ ์ด๋ํ ์ ์๊ณ , ์ด๋ ๋น๊ตญ๋ถ์ ๋์ญํ์ ๋ฐ๋ฅด๊ฒ ๋๋ค. ๋ฐ๋ผ์ ๋น๊ตญ๋ถ์ ๋์ญํ์์ ์ต๋
์ ์ ๊ฐ์ด ์ง์ญ(์ํ
๋๊ทผ์ฒ)๊ณผ ์ต๋ ์ด์จํ ์ง์ญ์ ๋ค๋ฅธ ๊ณณ์ผ ์ ์๋ค. ์ด๋ ๊ทธ๋ฆผ 6์ 11 cm์ธ ๊ฒฝ์ฐ์ ์ ์์จ๋์ ์ต๋์ง์ ์ด ์ ๊ธฐ์ฅ์ด ๊ฐ์ฅ ๊ฐํ ์ํ
๋ ๊ทผ์ฒ์์ ์ต๋์ด์ง๋ง ๋ฐ๋์ ์ต๋์ง์ ์ ์ฑ๋ฒ์ ์ค์์ธ ๊ฒ๊ณผ ์ ์ผ์นํ๋ค. ์๋ฅด๊ณค
25 mTorr ์๋ ฅ์์ ฮปฮต๋ ์ฝ 17 cm (ne = 1 ร 1011 $cm^{-3}$, Te = 3 V์ผ ๋)๊ฐ ๋๊ณ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ณด๋ค ๊ธธ๋ค.
์ (8)๋ก๋ถํฐ ฮปฮต๋ ne๊ฐ ์์์ง๊ณ Te๊ฐ ๋์์๋ก ์ฆ๊ฐํจ์ ์ ์ ์๋ค. ๋ฐ๋ผ์ 11 cm๋ณด๋ค ์์ ๋ชจ๋ l์ ๋น๊ตญ๋ถ์ ์กฐ๊ฑด์ ์ถฉ์กฑํ๋ค. ๊ทธ๋ฌ๋ l =
6 cm ๋ฐ l = 4 cm์ผ ๋ ne ๋ถํฌ๋ ๋์ ๋๊ฒ ๊ตญ๋ถ์ ์
๋๋ค. ์ด ์ฐจ์ด๋ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ฅผ ์ค์ ํ๋๋ฐ ๋งค์ฐ ์ค์ํฉ๋๋ค. ๊ตญ๋ถ์ ๋ถํฌ๋ก ๋ณํํ๋
์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๋ ์(4.2)์ ์ธ๊ธํ ๊ฒ๊ณผ ๊ฐ์ด ํํผ ๊ธธ์ด์ 2.1๋ฐฐ ๊ธธ์ด์ ์ ์ผ์นํจ์ ๋ณด์ธ๋ค.
5. ๊ฒฐ ๋ก
๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์๋ ํ๋ถ ์ ๊ทน์ด ์๋ ์๋ถ ์ ๋ ๊ฒฐํฉ ํ๋ผ์ฆ๋ง์์ ์ฑ๋ฒ๊ธธ์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ๊ณผ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ถํฌ๋ฅผ ์กฐ์ฌํ์๋ค. ์ด๋ฌํ ์์ค ๊ตฌ์ฑ์ ๋ํ ์ฐ๊ตฌ๋
ํ๋ผ์ฆ๋ง ๊ณต์ ๊ณผ ๊ธฐ๋ณธ์ ์ธ ์คํ์ค ์ฐ๊ตฌ ๋ชจ๋์์ ๊ณ ๋ฐ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง์ ์ด์จ ์๋์ง ์ฌ์ด์ ๋
๋ฆฝ์ ์ธ ์ ์ด์ ๋๋ฆฌ ์ฌ์ฉ๋๊ธฐ ๋๋ฌธ์ ๋งค์ฐ ์ค์ํ๋ค.
์คํ์์ ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด๊ฐ ๊ฐ์ํจ์ ๋ฐ๋ผ ์์คํ
์ ํญ์ด ์ฆ๊ฐํ๋ค. ๊ทธ๋ฌ๋ ํ๋ผ์ฆ๋ง๊ฐ ๋ฐฉ์ ๋๋ฉด ์๋ฎฌ๋ ์ด์
๊ฒฐ๊ณผ์ ๊ฐ์ด ์์คํ
๋ณํ์ ๋ฐ๋ฅธ ์ ์ ๊ธฐ์ฅ ๋ฐ ์์ ๋ฅ
์์ค๋ก ์ธํด ์ค์ ์์คํ
์ ํญ์ด ๋ค๋ฅผ ์ ์์ต๋๋ค. ์๋ฎฌ๋ ์ด์
๊ฒฐ๊ณผ์์ ์ผ๋ฐ์ ์ธ ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋ ์์ญ์์๋ ํ๋ถ ํ๋ ์ดํธ์ ์ ์ ๊ธฐ์ฅ ์์ค์ด ์์ผ๋ฏ๋ก
์์คํ
์ ํญ ์ธก์ ์ ์ ์ ๊ธฐ์ฅ ์์ค์ ์ํฅ์ด ์์ด์ผ ํ๋ค. ๋ฐ๋ผ์ ์์คํ
์ ํญ์ ์ธก์ ํ ๋ ํ๋จ ์ ๊ทน์ ์ํ
๋์ ์ ์ ๊ธฐ์ฅ์ ์ํฅ์ ๋ฐ์ง ์์ ๋งํผ
์ถฉ๋ถํ ๋ฉ๋ฆฌ ์์นํด์ผ ํ๋ค. ํ์ง๋ง ์์ ๋ฅ ์์ค์ ์๋ฎฌ๋ ์ด์
๊ฒฐ๊ณผ์์ ์ ์ ์๋ฏ์ด ํ๋ผ์ฆ๋ง ๋ฐ๋์ ์ฑ๋ฒ ๊ตฌ์กฐ์ ์ํฅ์ ๋ ํฌ๊ฒ ๋ฐ๋๋ค. ์์ ๋ฅ ์์ค์ด
๋ฌด์ ๊ฐ๋ฅํ ํ๋ถ ์ ๊ทน์ ์์น๋ ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์ ์ ์๋ ๋ ํํผ ๊ธธ์ด ์ค์ ์์ ๊ธธ์ด์ 2.1๋ฐฐ ์ด์์ผ ๋์์ ์ ์ ์๋ค. ๋ํ, ์ฑ๋ฒ ๊ธธ์ด์ ๋ํ
์ ์ ๋์ญํ์ ์ํฅ์ ํ๋ผ์ฆ๋ง ์๋ฎฌ๋ ์ด์
์น์
์์ ์ค๋ช
๋๋ค. ์ด๋ฌํ ๊ฒฐ๊ณผ๋ ์ฑ๋ฒ์ ๋ฐ๊ฒฝ๊ณผ ๊ธธ์ด๋ฅผ ๊ฒฐ์ ํ๋๋ฐ ๋์์ด ๋ ๋ฟ๋ง ์๋๋ผ ํ๋จ ๋ฐ์ด์ด์ค ์ ๊ทน์ด
์๋ ICP์์ ์์คํ
์ ๋ ฅ ์์ค ๋ฐ ํ๋ผ์ฆ๋ง ํก์ ์ ๋ ฅ์ ์ดํดํ๋๋ฐ ๋์์ด ๋ ์ ์๋ค.
Acknowledgements
This work was supported by the National Research Foundation of Korea (NRF-2019M1A7A1A03087579,
NRF-2021R1I1A1A01050312), the Ministry of Trade, Industry & Energy (20011226, 20007145,
20009415, 20010412, 20012609).
References
M. A. Lieberman, A. J. Lichtenberg, 2005, Principles of plasma discharges and materials
processing, John Wiley & Sons

J. Hopwood, 1992, Review of inductively coupled plasmas for plasma processing, Plasma
Sources Science and Technology, Vol. 1

V. A. Godyak, R. B. Piejak, B. M. Alexandrovich, Nov 2002, Electron energy distribution
function measurements and plasma parameters in inductively coupled argon plasma, Plasma
Sources Science & Technology, Vol. 11, pp. 525-543

F. F. Chen, J. P. Chang, 2003, Lecture notes on principles of plasma processing, Springer
Science & Business Media

N. S. J. Braithwaite, T. Matsuura, 2004, Plasma processing of materials the atomic
scale, Contributions to Plasma Physics, Vol. 44, pp. 478-484

J. H. Keller, J. C. Forster, M. S. Barnes, 1993, Novel radioโfrequency induction plasma
processing techniques, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces,
Vol. and films, No. 11, pp. 2487-2491

R. Shul, G. McClellan, S. Casalnuovo, D. Rieger, S. Pearton, C. Constantine, C. Barratt,
R. Karlicek Jr, C. Tran, M. Schurman, 1996, Inductively coupled plasma etching of
GaN, Applied physics letters, Vol. 69, pp. 1119-1121

R. Shul, G. McClellan, R. Briggs, D. Rieger, S. Pearton, C. Abernathy, J. Lee, C.
Constantine, C. Barratt, 1997, High- density plasma etching of compound semiconductors,
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum Surfaces and Films, Vol. 15, pp.
633-637

F. Khan, I. Adesida, 1999, High rate etching of SiC using inductively coupled plasma
reactive ion etching in SF 6-based gas mixtures, Applied physics letters, Vol. 75,
pp. 2268-2270

G. A. Hebner, P. A. Miller, 2000, Electron and negative ion densities in C 2 F 6 and
CHF 3 containing inductively coupled discharges, Journal of Applied Physics, Vol.
87, pp. 7660-7666

N. Plank, M. Blauw, E. Van der Drift, R. Cheung, 2003, The etching of silicon carbide
in inductively coupled SF6/O2 plasma, Journal of Physics D: Applied Physics, Vol.
36

K. M. Dowling, E. H. Ransom, D. G. Senesky, 2016, Profile evolution of high aspect
ratio silicon carbide trenches by inductive coupled plasma etching, Journal of Microelectromechanical
Systems, Vol. 26, pp. 135-142

S. Mikhailovich, A. Y. Pavlov, K. Tomosh, Y. V. Fedorov, 2018, Low-Energy Defectless
Dry Etching of the AlGaN/AlN/GaN HEMT Barrier Layer, Technical Physics Letters, Vol.
44, pp. 435-437

H. Saidi, W. Aloui, A. Bouazizi, 2018, Bias voltage effect on the dielectric properties
of organicโinorganic blend SiNWs elaborated via metal assisted chemical etching, Journal
of Materials Science: Materials in Electronics, Vol. 29, pp. 18051-18058

T. Denda, Y. Miyoshi, Y. Komukai, T. Goto, Z. L. Petroviฤ, T. Makabe, 2004, Functional
separation in two frequency operation of an inductively coupled plasma, Journal of
applied physics, Vol. 95, pp. 870-876

H. C. Lee, C. W. Chung, 2012, Effect of RF Bias on Electron Energy Distributions and
Plasma Parameters in Inductively Coupled Plasma, Journal of the Korean Vacuum Society,
Vol. 21, pp. -

C.-W. Chung, 2013, PLASMA ELECTRONICS, gyomoon

J.-H. Kim, Y.-H. Hong, C.-W. Chung, 2019, High efficient plasma generation in an inductively
coupled plasma using a passive resonant antenna, Plasma Sources Science and Technology,
Vol. 28, pp. 105018

H.-J. Hwang, Y.-C. Kim, C.-W. Chung, 2013, Method for measurement of transferred power
to plasma in inductive discharges, Thin solid films, Vol. 547, pp. 9-12

K. Suzuki, K. Nakamura, H. Ohkubo, H. Sugai, 1998, Power transfer efficiency and mode
jump in an inductive RF discharge, Plasma Sources Science and Technology, Vol. 7,
No. 13

J. Hopwood, 1994, Planar RF induction plasma coupling efficiency, Plasma Sources Science
and Technology, Vol. 3, No. 460

V. Godyak, R. Piejak, B. Alexandrovich, 1999, Experimental setup and electrical characteristics
of an inductively coupled plasma, Journal of applied physics, Vol. 85, pp. 703-712

V. A. Godyak, 2011, Electrical and plasma parameters of ICP with high coupling efficiency,
Plasma Sources Science and Technology, Vol. 20, No. 025004

T. Nelis, M. Aeberhard, L. Rohr, J. Michler, P. Belenguer, P. Guillot, L. Thรฉrรจse,
2007, A simple method for measuring plasma power in rf-GDOES instruments, Analytical
and bioanalytical chemistry, Vol. 389, pp. 763-767

Computer Simulation Technology (CST) Studio Suite, https://www.cst.com

V. Vahedi, M. A. Lieberman, G. DiPeso, T. D. Rognlien, D. Hewett, 1995, Analytic model
of power deposition in inductively coupled plasma sources, Journal of Applied Physics,
Vol. 78

COMSOL Multiphysicsยฎ v. 6.0, Plasma Module User's Guide, Stockholm, Sweden: COMSOL
AB, 2022. Available online:https://doc.comsol.com/

J. H. Kim, Y. C. Kim, C. W. Chung, 2015, Experimental investigation on plasma parameter
profiles on a wafer level with reactor gap lengths in an inductively coupled plasma,
Physics of Plasmas, Vol. 22, No. 073502

์ ์์๊ฐ
ํ์ํ (Young-Hun Hong)
Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.
Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.
Dept. of Electrical Engineering, Hanyang Univerity, Korea.